JP CashCraze - шаблон joomla Продвижение

Новости  одной строкой

31 января президент Ассоциации Исин Н.К принял участие в работе форума "Digital Almaty" 

25 октября Президент Ассоциации Исин Н.К. принял участие в работе международного технологического форума "Digital Bridge"
 
26-27 сентября на Международном ИТ форуме «IT-WEEK.KZ-2019» в Караганде принял участие и выступил вице президент Ассоциации Нупбаев К.Т
 
 

 Архив >>>

Новые материалы

Исследователи Стэнфордского университета, США, предлагают использовать для производства микросхем вместо кремния два других соединения — диселениды гафния и циркония. Идея принадлежит доценту электроинженерии Эрику Попу (Eric Pop) и пост-докторанту Михалу Млечко (Michal Mleczko). Результаты исследования были опубликованы в журнале Science Advances.
Технические особенности

По словам исследователей, два найденных полупроводника могут окисляться и создавать в процессе окисления тонкие изолирующие пленки. Толщина микросхемы из диселенидов гафния и циркония, не превышает три атома, то есть около 0,6-0,7 нм. В случае с кремнием минимальная толщина схемы составляет 7 нм, при уменьшении ее до 5 нм схемы перестают быть рабочими.

Пленка, которую создают диселениды гафния и циркония, не нуждается в специально нанесенном диэлектрическом покрытии, поскольку она в этом отношении даже более проницаема, чем пленка диоксида кремния. Поэтому на работу новых схем будет расходоваться меньше энергии, что выразится для конечного потребителя в таких удобствах как уменьшение размера аккумулятора готового устройства и увеличение срока его автономной работы.

Подробнее: http://www.cnews.ru/news/top/2017-08-14_otkryty_poluprovodnikiprigodnye_dlya_tehprotsessa